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集成高／低侧MOSFET、驱动电路与多重保护机制于一体的半桥驱动器-SS6208
半桥驱动电路是指使用两个开关器件（通常是MOSFET或IGBT）来控制电机的正向和反向运动。其中一个开关器件被连接到电源正极，另一个器件被连接到电源负极，通过控制两个开关的状态来控制电流的流向，从而控
可实现优异RDS(ON)值及低栅极电荷特性的N沟道MOS管-DOP3205
N沟道MOS管是一种利用电压控制电流通断的半导体开关器件，核心特点是栅极加正电压导通，广泛用于电源管理和电机驱动等电路。N沟道MOS管的内部结构是在一块P型硅衬底上制作两个高浓度的N型区，分别作为源极
SS6208-12V半桥驱动器，8A峰值+1MHz高频，适配电子烟、无线充半桥应用
半桥拓扑在功率电子设计中，覆盖无线充电发射、电机驱动、DCDC 变换、电子烟加热控制等众多应用；传统方案采用“分立MOSFET+栅极驱动IC”，不仅占大量PCB面积，更因寄生参数引发的振铃和开关损耗而
Diodes2026第二财季：连续六季双位数增长，下一关是把收入变成更高质量的利润
2026年第二财季达尔科技的亮点是连续增长。 ◎?营收4.455亿美元，上年同期3.662亿美元，环比也较上个财季4.055亿美元增加约10%。连续第六个季度实现双位数同比增长。 分立器件、模拟、电源
采用先进超结技术和降低开关损耗的650V超结功率MOS管-SSx65R070FR
超结功率MOSFET，全称超级结金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种基于电荷平衡与横向耗尽原理设计的高压功率半导体器件。它通过在传统MOSFET的漂移区内构建交替排列的P型与N型柱状结构，成功突破了硅
专为低导通电阻和高细胞密度应用设计的N沟道功率MOSFET-DH090NG-S
相比P沟道，N沟道有几个硬优势：?导通电阻更低?，意味着同样电流下发热更少、效率更高 。而且载流子是电子，迁移速度快，开关损耗也小 。另外，N沟道器件?更容易制造且成本更低?，所以市面上常见的功率MO
可实现极低的导通电阻和栅极电荷的N型550V功率MOSFET-SSx55R160F
功率MOSFET是靠电压控制开关的器件?，栅极加电压形成沟道让电流通过，不加电压就关断，就像用水龙头控制水流一样。??栅极和源极之间加电压UGS，当UGS超过阈值电压UT时，栅极下方的P型半导体表面反
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